壓力變送器的最高精度能夠達到量程的萬分之五，因此其零點漂移是不能忽略的。單晶硅類壓力傳感器因精度高、響應速度快等特點，對溫度的變化較其它類傳感器異常敏感。經(jīng)過試驗得出單晶硅的導電能力隨溫度的增加按指數(shù)規(guī)律增長，因此由單晶硅制作的壓力變送器受溫度影響后，傳感器的輸出信號將產(chǎn)生零點溫度漂移。

       零點溫度漂移：理想情況下單晶硅上的組成惠斯頓電橋的4個擴散電阻阻值是嚴格相等的，因而在電橋處于平衡狀態(tài)時，電橋的輸出電壓為零。但在傳感器加工過程中，由于被連接成惠斯頓電橋的四個擴散電阻阻值不可能控制到完全相等，所以當壓力為零時，惠斯頓電橋的輸出不為零，這種零點輸出將隨溫度的變化而產(chǎn)生漂移，即產(chǎn)生零點溫度漂移。

       針對零點溫度漂移，壓力變送器在設計時采用溫度補償設計，減少溫度對傳感器的精度影響，在生產(chǎn)時采用多點溫度和多點壓力組合標定的形式得出溫度補償數(shù)據(jù)矩陣，并在傳感器內(nèi)放置溫度傳感器，使在現(xiàn)場使用時實時采集過程溫度，然后利用三維數(shù)據(jù)擬合的方式，進行軟件溫度補償，以較少溫度對零點的影響。